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   碳化硅氮化硅烧结炉



    该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结,也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。

   

   技术特征

碳化硅氮化硅烧结炉采用电阻加热,设置温区补偿或多区控温,温度均匀性好;

碳化硅氮化硅烧结炉采用顶立科技专属超高温、大电流引电技术,能在2400℃条件下长时间稳定使用;

碳化硅氮化硅烧结炉采用特殊的高温红外测量技术,控温准确,误差小;

该碳化硅氮化硅烧结炉配置专属密封马弗,产品产生的硅蒸汽等副产物对加热器及绝缘材料等的污染小;

碳化硅氮化硅烧结炉采用专用尾气处理装置,环境友好,易清理;

可选择配置脱脂系统,实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理。

 


碳化硅氮化硅烧结炉产品规格


参数\型号

SICS-040406

SICS-060609

SICS-080812

SICS-101015

SICS-121225

SICS-151530

工作区尺寸W×H×L(mm)

400×400×600

600×600×900

800×800×1200

1000×1000×1500

1200×1200×2500

1500×1500×3000

最高温度(℃)

2400

2400

2400

2400

2400

2400

温度均匀性(℃)

±5

±5

±7.5

±7.5

±10

±10

极限真空度(Pa)

50

50

50

50

50

50

压升率(Pa/h)

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

工作区长度尺寸(mm)

4000/5000(非标定制)

以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

 


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