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南昌大学与顶立科技联合培养首届硕士研究生顺利通过学位论文答辩

发布时间:2022-06-02发布人:浏览:
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5月22日,南昌大学与顶立科技联合培养的首届专业硕士研究生学位论文答辩在顶立科技举行,因疫情原因,答辩采取线上、线下结合方式进行。

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参加此次学位论文答辩的王卓健、刘兴亮、朱晨光三位学生均是南昌大学物理与材料学院与顶立科技联合培养的2019级专业硕士研究生,答辩委员会由国防科技大学原陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室研究生导师王思青研究员、南昌大学物理与材料学院副院长谭敦强教授、博士生导师章爱生教授、硕士生导师徐一副教授、顶立科技技术中心主任王艳艳高工组成。戴煜教授课题组的13名博士生与硕士生均在主会场和线上聆听答辩。

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南昌大学是国家“双一流”计划世界一流学科建设高校、国家“211工程”重点建设高校,其材料科学与工程学科是世界一流学科建设点,拥有一级学科博士点、博士后流动站和“材料物理与化学”国家重点学科。南昌大学副校长江风益院士团队的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得2015年度唯一国家技术发明奖一等奖,助推江西打造“南昌光谷”。

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顶立科技拥有“全国博士后科研工作站”、“湖南省工程实验室”、“湖南省新型热工装备工程技术研究中心”等创新平台。具有丰富的智能化沉积热工装备研制经验,其自主研发的多元耦合物理场沉积设备成功应用于快速沉积GaN单晶生长用第三代半导体SiC,同时在大尺寸复杂构件上快速沉积SiC方面经验丰富。

三位硕士研究生的学位论文工作分别涉及第三代半导体GaN单晶生长所需的SiC涂层制备、第三代半导体SiC单晶生长所需的TaC涂层制备、TiB2/7055铝合金复合材料的制备,所有论文均实验工作量大,依托顶立科技的科研和生产平台完成。论文工作不仅具有一定的创新性,也切合国家战略需求和地方优势产业发展需要,并结合了南昌大学和顶立科技优势学科和优势方向,同时促进了顶立科技SiC、TaC涂层及TiB2/7055铝合金复合材料的研发。答辩委员会在听取三位学员论文内容汇报后,通过质询、讨论并经投票,一致同意其通过论文答辩,并建议授予工程硕士学位。

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此次南昌大学与顶立科技通过校企合作联合培养研究生,实现了校企资源优化共享,打造了人才培养双向新平台,助力了产学研的深度融合,相关研究成果为GaN单晶生长用第三代半导体SiC的产业化打下了基础,对助力湖南省“三高四新”战略实施具有一定意义。

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