7月27日，湖南省科学技术奖励大会在长沙召开，会议集中表彰了2024-2025年度湖南省科学技术奖。由顶立科技牵头，联合湖南三安半导体、南昌大学等单位共同完成的“第三代半导体用高均匀高致密TaC涂层石墨件制备技术及应用”项目，荣获湖南省科学技术进步奖一等奖。

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借耐高压、耐高温、高频低损耗的物理特性，广泛应用于新能源汽车、光伏、特高压等战略新兴产业。其自主可控直接关系到国家高端制造业供应链安全。在SiC单晶生长环节，TaC（碳化钽）涂层石墨件是构建长晶热场的核心且不可替代部件，直接决定SiC单晶的质量。

顶立科技历时十余年产学研用联合攻关，在首批湖南省“十大技术攻关项目”重点支持下，成功突破了“材料—工艺—装备”成套关键技术，实现了高性能TaC涂层石墨件从完全依赖进口到自主可控的跨越。

碳化钽（TaC）涂层石墨件

项目取得三大核心技术突破：首创热化学与超高温“双步一炉”超高纯石墨提纯技术，将石墨基体纯度提升至99.99995%（6N5）以上；研发出高均匀高致密TaC涂层工艺，涂层产品使用寿命突破600小时；带动SiC单晶生产良率从55%提升至70%；创制了多场耦合精准控制化学气相沉积装备，实现了高均匀TaC涂层石墨件批量稳定制备，成本较进口产品降低30%。

化学气相沉积装备

目前，项目产品已在长晶、外延行业的领军企业和科研院所批量应用，项目整体技术达到国际领先水平，先后入选工信部未来产业标志性产品、湖南省首批次重点新材料产品。

项目第一完成人戴煜博士表示，该项目不仅是技术的突破，对保障国家第三代半导体产业链的自主可控与供应链安全具有重要意义。顶立科技将以此获奖为新的起点，持续精进TaC涂层技术，通过工艺迭代，把第三代半导体用高致密高均匀碳基涂层材料做深、做强；同时，发挥企业人才和科技创新优势，拓展半导体热管理材料，开发碳基、钨铜等热新型管理材料及构件，培育新的增长点；继续深耕特种热工装备领域，强化创新引领地位，为推动我国新材料产业高质量发展作出顶立贡献！